Los investigadores de IBM han construido el primer circuito integrado basado en un transistor de grafeno, otro paso hacia la superación de los límites del silicio y un camino potencial para la electrónica flexible. El circuito, construido sobre una oblea de carburo de silicio, se compone de transistores de efecto campo (FET) hechos de grafeno, en un arreglo de moléculas de carbono de muy alta conductividad, en forma de malla, y de una sola capa de espesor atómico. El circuito integrado también incluye estructuras metálicas, tales como inductores y terminales de transistores. Los investigadores dicen que el grafeno tiene el potencial necesario para poder fabricar transistores que funcionen a velocidades de terahercios. De esta manera, algún día podría reemplazar el silicio como material base para la fabricación de los circuitos de los dispositivos de computación, tales como PC, teléfonos móviles y tablets.

El circuito de prueba que construyo el equipo de investigadores de IBM fue un mezclador de radiofrecuencia (RF Mixer), que es un componente fundamental para el procesamiento de señales de radio.

Una característica notable es que el rendimiento del dispositivo no cambió mucho cuando la temperatura varió de 300 a 400 grados Kelvin (unos 27 ° C a 127 ° C). Esto significa que un circuito de grafeno no necesitaría ser sobre-diseñado para compensar los cambios de temperatura, lo cual permitiría el diseño de circuitos menos complejos y costosos.

Fuente: IEEE Spectrum